变压器测试仪/WXSZ-C型多功能数字式四探针测试仪
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WXSZ-C型多功能数字式四探针测试仪
一、产品概述
1.1基本功能和依据标准：
WXSZ-C型多功能数字式四探针测试仪是运用四探针测量原理测试材料电阻率/方块电阻的多用途、智能化综合测量仪器。该仪器设计符合GB/T 1551-2009 《硅单晶电阻率测定方法》、GB/T 1551-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法》、GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》等并参考美国 A.S.T.M 标准。
1.2 仪器成套组成：由XGSZ-C四探针主机、选配的四探针探头、选配四探针测试台等部分组成。
1.3优势特征：
1：本测试仪特增设测试结果自动分类功能，最大分类10类。
2：可定制 USB通讯接口，便于其拓展为集成化测试系统中的测试模块。
3：8档位超宽量程，行业领先。 同行一般为五到六档位。
4: 仪器小型化、手动/自动一体化。
5: 仪器操作简便、性能稳定，所有参数设定、功能转换全部采用数字化键盘输入，简便而且免除模拟定位器的不稳定。
1.4探头选配：根据不同材料特性需要，探头可有多款选配。详情见《四探针探头型号规格特征选型参照表》
1配高耐磨的碳化钨探针探头，如C-F01型，以测试硅等半导体、金属、导电塑料类等硬质材料的电阻率/方阻；
2配不伤膜的球形或平头镀金铜合金探针探头，如B-F01型，可测金属箔、碳纸等导电薄膜，也可测陶瓷、玻璃或PE膜等基底上导电涂层膜，如金属镀膜、喷涂膜、ITO膜、电容卷积膜等材料的薄膜涂层电阻率/方阻。
3配专用箔上涂层探头，如B-F02型，也可测试锂电池电池极片等箔上涂层电阻率/方阻。
4换上四端子测试夹具，还可对电阻器的体电阻进行测量。。
1.5适用范围：仪器适用于半导体材料厂器件厂、科研单位、高等院校四探针法对导体、半导体、类半导体材料的导电性能的测试。
二、基本技术参数
测量范围
1、电阻率：10-6～2X105 Ω .cm
2、方块电阻：10-5～1X106 Ω /£
3、电阻：10-5～2X106 Ω
2. 材料尺寸(由选配测试台和测试方式决定)
直 径： 测试台直接测试方式180mm×180mm
长(高)度： 测试台直接测试方式 H≤100mm, .
测量方位: 轴向、径向均可
数字电压表:量程20.00mV~2000mV
3.3 量程划分及误差等级
满度显示 | 200.0 | 20.00 | 2.000 | 200.0 | 20.00 | 2.000 | 200.0 | 20.00 |
测试电流 | 0.1μA | 1.0μA | 10μA | 100μA | 1.0mA | 10mA | 100mA | 1.0A |
常规量程 | kΩ-cm/□ | kΩ-cm/□ | Ω-cm/□ | mΩ-cm/□ | ||||
基本误差 | ±2%FSB ±4LSB | ±1.5%FSB ±4LSB | ±0.5%FSB±2LSB | ±1.0%FSB ±4LSB | ||||
注： 电流精度 ±0.1%
3.4 四探针探头（选配其一或加配全部）
(1)碳化钨探针：Φ0.5mm，直线探针间距1.0mm，探针压力: 0～2kg 可调
(2)薄膜方阻探针：Φ0.7mm，直线或方形探针间距2.0mm，探针压力: 0～0.6kg 可调
3.5. 电源
输入: AC 220V±10% ,50Hz 功 耗：<20W
3.6.外形尺寸、重量：
主 机： 220mm（长）×245 mm（宽）×100mm（高）， 净 重：≤2.5kg
一、产品概述
1.1基本功能和依据标准：
WXSZ-C型多功能数字式四探针测试仪是运用四探针测量原理测试材料电阻率/方块电阻的多用途、智能化综合测量仪器。该仪器设计符合GB/T 1551-2009 《硅单晶电阻率测定方法》、GB/T 1551-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法》、GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》等并参考美国 A.S.T.M 标准。
1.2 仪器成套组成：由XGSZ-C四探针主机、选配的四探针探头、选配四探针测试台等部分组成。
1.3优势特征：
1：本测试仪特增设测试结果自动分类功能，最大分类10类。
2：可定制 USB通讯接口，便于其拓展为集成化测试系统中的测试模块。
3：8档位超宽量程，行业领先。 同行一般为五到六档位。
4: 仪器小型化、手动/自动一体化。
5: 仪器操作简便、性能稳定，所有参数设定、功能转换全部采用数字化键盘输入，简便而且免除模拟定位器的不稳定。
1.4探头选配：根据不同材料特性需要，探头可有多款选配。详情见《四探针探头型号规格特征选型参照表》
1配高耐磨的碳化钨探针探头，如C-F01型，以测试硅等半导体、金属、导电塑料类等硬质材料的电阻率/方阻；
2配不伤膜的球形或平头镀金铜合金探针探头，如B-F01型，可测金属箔、碳纸等导电薄膜，也可测陶瓷、玻璃或PE膜等基底上导电涂层膜，如金属镀膜、喷涂膜、ITO膜、电容卷积膜等材料的薄膜涂层电阻率/方阻。
3配专用箔上涂层探头，如B-F02型，也可测试锂电池电池极片等箔上涂层电阻率/方阻。
4换上四端子测试夹具，还可对电阻器的体电阻进行测量。。
1.5适用范围：仪器适用于半导体材料厂器件厂、科研单位、高等院校四探针法对导体、半导体、类半导体材料的导电性能的测试。
二、基本技术参数
测量范围
1、电阻率：10-6～2X105 Ω .cm
2、方块电阻：10-5～1X106 Ω /£
3、电阻：10-5～2X106 Ω
2. 材料尺寸(由选配测试台和测试方式决定)
直 径： 测试台直接测试方式180mm×180mm
长(高)度： 测试台直接测试方式 H≤100mm, .
测量方位: 轴向、径向均可
数字电压表:量程20.00mV~2000mV
3.3 量程划分及误差等级
满度显示 | 200.0 | 20.00 | 2.000 | 200.0 | 20.00 | 2.000 | 200.0 | 20.00 |
测试电流 | 0.1μA | 1.0μA | 10μA | 100μA | 1.0mA | 10mA | 100mA | 1.0A |
常规量程 | kΩ-cm/□ | kΩ-cm/□ | Ω-cm/□ | mΩ-cm/□ | ||||
基本误差 | ±2%FSB ±4LSB | ±1.5%FSB ±4LSB | ±0.5%FSB±2LSB | ±1.0%FSB ±4LSB | ||||
注： 电流精度 ±0.1%
3.4 四探针探头（选配其一或加配全部）
(1)碳化钨探针：Φ0.5mm，直线探针间距1.0mm，探针压力: 0～2kg 可调
(2)薄膜方阻探针：Φ0.7mm，直线或方形探针间距2.0mm，探针压力: 0～0.6kg 可调
3.5. 电源
输入: AC 220V±10% ,50Hz 功 耗：<20W
3.6.外形尺寸、重量：
主 机： 220mm（长）×245 mm（宽）×100mm（高）， 净 重：≤2.5kg
